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RSU002P03T106
价 格0.100496
品 牌ROHM
物料名称MOSFET
规 格无规格信息
下 载规格书
包 装卷带
最小包装数1
库 存141000PCS1个起订)
交 期
3-5(天)
此产品已下架
价格梯度
梯度/pcs
单价¥(含税)
  • 1+
    0.100496
产品参数(仅供参考,以实际产品为准)
  • Id-连续漏极电流:
    250 mA
  • Pd-功率耗散:
    200 mW
  • Rds On-漏源导通电阻:
    1.6 Ohms
  • Vds-漏源极击穿电压:
    - 30 V
  • VGSS-栅源电压:
    20 V
  • 动作时间:
    5 ns
  • 典型关闭延迟时间:
    30 ns
  • 典型接通延迟时间:
    8 ns
  • 晶体管极性:
    P-Channel
  • 晶体管类型:
    1 P-Channel
  • 通道模式:
    Enhancement
  • 通道数量:
    1 Channel
  • 复位时间:
    5 ns
  • 三极管个数:
    Single
  • 安装方式:
    SMD/SMT
  • RoHS:
    详细信息
  • 包装方式:
    Reel
  • 封装/尺寸(in/mm):
    UMT-3
  • 原厂包装数量:
    3000