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RRR015P03TL
价 格0.144898
品 牌ROHM
物料名称MOSFET
规 格无规格信息
下 载规格书
包 装卷带
最小包装数1
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交 期
6-8(天)
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产品参数(仅供参考,以实际产品为准)
  • 工作温度范围:
    - 55 C to + 150 C
  • 包装:
    Digi-Reel®
  • Id-连续漏极电流:
    1.5 A
  • FET类型:
    P 沟道
  • Pd-功率耗散:
    1 W
  • 技术:
    MOSFET(金属氧化物)
  • Qg-栅极电荷:
    6.5 nC
  • 漏源电压(Vdss):
    30V
  • Rds On-漏源导通电阻:
    115 mOhms
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):
    1.5A(Ta)
  • Vds-漏源极击穿电压:
    - 30 V
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):
    4V,10V
  • VGSS-栅源电压:
    20 V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):
    2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
    6.5nC @ 10V
  • 动作时间:
    8 ns
  • Vgs(最大值):
    ±20V
  • 正向跨导 - 最小值:
    1.2 S
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):
    230pF @ 10V
  • 典型关闭延迟时间:
    40 ns
  • 功率耗散(最大值):
    540mW(Ta)
  • 典型接通延迟时间:
    12 ns
  • 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):
    160 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 晶体管极性:
    P-Channel
  • 工作温度:
    150°C(TJ)
  • 晶体管类型:
    1 P-Channel
  • 安装类型:
    表面贴装
  • 通道模式:
    Enhancement
  • 供应商器件封装:
    TSMT3
  • 通道数量:
    1 Channel
  • 封装/外壳:
    SC-96
  • 复位时间:
    13 ns
  • 三极管个数:
    Single
  • 安装方式:
    SMD/SMT
  • RoHS:
    详细信息
  • 包装方式:
    Reel
  • 封装/尺寸(in/mm):
    TSMT-3
  • 原厂包装数量:
    3000